【48812】我国工程院院士吴汉明：摩尔定律估量将走到2025年
2024-06-20 07:36:13
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集微网音讯，10月14日，在IC CHINA 2020的开幕式上，我国工程院院士、浙江大学微纳电子学院院长吴汉明在开幕讲演中表明，摩尔定律估量还能走到2025年。
吴汉明指出，我国集成电脑工业高质量开展注定困难，尤其是芯片制作工艺，应战极为严峻。工业高质量开展除了需求巨大财物金额的投入和人才缺口以外，还面对着战略性壁垒和工业性壁垒。前者主要是巴统和瓦森纳协议对我国半导体工业的约束，后者主要是国际半导体范畴的有突出贡献的公司前期安置的知识产权，对我国半导体这样的后来者构成专利护城河。
今日，摩尔定律依然在支撑着5G、人工智能等新技能的开展，可是其间的要害技能遇到了资料、器材物理功能限制、光刻等瓶颈。工艺面对的三大应战包含，制作根底的光刻技能、中心的新资料和新工艺以及良率提高这个终极应战。
以光刻技能为例，193nm光刻支撑了曩昔年代工艺的开展，进入7nm今后，EUV光刻开端成为要害，但它现在仍面对光源、光刻胶和掩膜版等方面的难题要处理。比方掩膜版，曩昔掩膜的全体产率约94.8%，但EUV仅64.3%左右，并且比杂乱光学掩膜还贵3到8倍。
虽然业界已经在研讨纳米压印、X光光刻、电子束直写等先进光刻技能，可是间隔投入到正常的运用中，吴汉明估量还要3年以上。
“跟着工艺节点演进，摩尔定律越来越难以继续，估量将走到2025年。”吴汉明猜测，“在这些应战下，新资料、新工艺将是未来成套工艺研制的主旋律。”
吴汉明表明，从22nm开端能够就被视为后摩尔年代，根底研讨将支撑后摩尔继续开展，能够区分以下为四类技能方向。逻辑器材技能开展则呈现出三个趋势：
一是结构方面。方针是添加栅控才能，以完成更低的漏电流，下降器材功用功耗。完成手法包含由平面结构转为立体，三维晶体管技能（如FinFET等）成为干流器材技能；
二是资料方面。方针是添加交流的迁移率，以完成更高的导通电流和功能。完成手法包含沟道构建资料由硅变为非硅并成为干流，如Ge、三五族高迁移率交流资料、GeSi源/漏应变资料等；
三是集成方面。相似平面Nand转向3D NAND闪存，未来的逻辑器材也会从二维集成技能走向三维仓库工艺。
此外，后摩尔年代将呈现出商场碎片化的特色，中小企业商机大，立异空间巨大。“在20纳米以下节点，先进产能仅占12%，20纳米以上节点还有巨大的商场和空间能够立异。”
可是需求注重的是，从各国研制经费分配来看，我国与国际先进国家的距离依然很大，尤其在根底研讨范畴，大部分研制停留在实验阶段，难以发生革命性的立异。
吴汉明着重，当时还有许多中心范畴的国产芯片占有率均为0，国产代替趋势下将迎来历史性机会。与此同时，工业链各环节全球化不可逆转，国产化将得到遍及认可。
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